Исследование электрических и фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных структур на основе CdIn₂S₄: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН МССР. Ин-т прикл. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Булярский, С. В. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1976 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||