Исследование процессов эпитаксиального роста в системе Ga-In-As-P и изучение электрофизических характеристик твердых растворов: (05.27.06): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)

Сохранено в:
Шифр документа: 28485/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бугге, Ф.
Опубликовано: Л. , 1986
Физические характеристики: 14, [1] с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38028980000
005 20070831123648.0
021 # # $a RU  $b [86-9104а] 
100 # # $a 20070831d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование процессов эпитаксиального роста в системе Ga-In-As-P и изучение электрофизических характеристик твердых растворов  $e (05.27.06)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) 
210 # # $a Л.  $d 1986 
215 # # $a 14, [1] с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (7 назв.) 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Бугге  $b Ф.  $g Франк 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070831  $g psbo