Исследование процессов эпитаксиального роста в системе Ga-In-As-P и изучение электрофизических характеристик твердых растворов: (05.27.06): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Бугге, Ф. |
Опубликовано: | Л. , 1986 |
Физические характеристики: |
14, [1] с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr38028980000 | ||
005 | 20070831123648.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [86-9104а] |
100 | # | # | $a 20070831d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование процессов эпитаксиального роста в системе Ga-In-As-P и изучение электрофизических характеристик твердых растворов $e (05.27.06) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) |
210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
215 | # | # | $a 14, [1] с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (7 назв.) |
686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Бугге $b Ф. $g Франк |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070831 $g psbo |