Исследование процессов эпитаксиального роста в системе Ga-In-As-P и изучение электрофизических характеристик твердых растворов: (05.27.06): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Бугге, Ф. |
Опубликовано: | Л. , 1986 |
Физические характеристики: |
14, [1] с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|