Влияние электронного облучения на экситонное поглощение в кристаллах GaP (N) / Е. Ю. Брайловский, Н. Е. Григорян, Г. Н. Ерицян

Сохранено в:
Шифр документа: М272753,
Вид документа: Книги
Автор: Брайловский, Е. Ю.
Опубликовано: Ереван : ЕФИ , 1984
Физические характеристики: 8 с. : ил. ; 20 см
Язык: Русский
Серия: Препринт ЕФИ-690 (5)-84
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr37900580000
005 20070831114647.0
010 # # $d 8 к. 
021 # # $a RU  $b [84-31548] 
100 # # $a 20070831d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AM 
200 1 # $a Влияние электронного облучения на экситонное поглощение в кристаллах GaP (N)  $f Е. Ю. Брайловский, Н. Е. Григорян, Г. Н. Ерицян 
210 # # $a Ереван  $c ЕФИ  $d 1984 
215 # # $a 8 с.  $c ил.  $d 20 см 
225 2 # $a Препринт  $f Ерев. физ. ин-т  $v ЕФИ-690 (5)-84 
300 # # $a В надзаг.: ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике. Библиогр.: с. 8 (5 назв.) 
345 # # $9 299 экз. 
610 0 # $a Кристаллы - Люминесценция 
610 0 # $a Кристаллы - Примесные центры 
610 0 # $a Экситоны (физ.) 
675 # # $a 548.0:535.14 
700 # 1 $a Брайловский  $b Е. Ю.  $g Евгений Юльевич 
701 # 1 $a Григорян  $b Н. Е. 
701 # 1 $a Ерицян  $b Г. Н. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070831  $g psbo