Влияние электронного облучения на экситонное поглощение в кристаллах GaP (N) / Е. Ю. Брайловский, Н. Е. Григорян, Г. Н. Ерицян
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Брайловский, Е. Ю. |
| Опубликовано: | Ереван : ЕФИ , 1984 |
| Физические характеристики: |
8 с. : ил. ; 20 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
ЕФИ-690 (5)-84 |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||