Излучательная рекомбинация в кристаллах и p-n структурах GaAs и GaAl (As), легированных амфотерными примесями: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Аскаров, П. А. |
| Опубликовано: | Л. , 1978 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||