Определение профиля концентрации носителей заряда и толщины слоев в многослойных структурах GaAs и InP с помощью контакта электролит-полупроводник: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Асанов, О. М. |
| Опубликовано: | Томск , 1987 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36413520000 | ||
| 005 | 20070810183527.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070810d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Определение профиля концентрации носителей заряда и толщины слоев в многослойных структурах GaAs и InP с помощью контакта электролит-полупроводник $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (01.04.10) $f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
| 210 | # | # | $a Томск $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-24 (10 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Асанов $b О. М. $g Олег Михайлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070810 $g psbo |