Определение профиля концентрации носителей заряда и толщины слоев в многослойных структурах GaAs и InP с помощью контакта электролит-полупроводник: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Асанов, О. М. |
| Опубликовано: | Томск , 1987 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||