![](/themes/root/images/default-cover.png)
Определение профиля концентрации носителей заряда и толщины слоев в многослойных структурах GaAs и InP с помощью контакта электролит-полупроводник: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Асанов, О. М. |
Опубликовано: | Томск , 1987 |
Физические характеристики: |
24 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|