Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga{н.инд.}(1-x)In{н.инд.}(x)Sb и исследование их электрофизических свойств в области малых объмных деформаций: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Антанавичюс, Р. П. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1986 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36205630000 | ||
| 005 | 20070808162251.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070808d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga{н.инд.}(1-x)In{н.инд.}(x)Sb и исследование их электрофизических свойств в области малых объмных деформаций $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-16 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Антанавичюс $b Р. П. $g Римантас Пятрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |