Схожие документы

• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10). - Л. : Казань, 1987. - 179 с.
  Автор: Салихов, Х. М.
  Опубликовано: (1987)
• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН МССР, Ин-т прикл. физики. - Кишинев, 1988. - 18 с.
  Автор: Салихов, Х. М.
  Опубликовано: (1988)
• Получение и исследование эпитаксиальных структур GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)Sb и GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x) As{н.инд.}(y)Sb{н.инд.}(1-y): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.16). - М., 1979. - 26 с.
  Автор: Вигдорович, С. В.
  Опубликовано: (1979)