Электрические свойства и тензорезистивный эффект в искусственно-анизотропных полупроводниках на основе JnSb и GaSb: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Агасиев, А. Э. |
| Опубликовано: | Баку , 1981 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35656780000 | ||
| 005 | 20070808130504.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070808d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Электрические свойства и тензорезистивный эффект в искусственно-анизотропных полупроводниках на основе JnSb и GaSb $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН АзССР, Ин-т физики. Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Агасиев $b А. Э. $g Акиф Энверович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070808 $g psbo |