Электрические свойства и тензорезистивный эффект в искусственно-анизотропных полупроводниках на основе JnSb и GaSb: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Агасиев, А. Э. |
| Опубликовано: | Баку , 1981 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||