Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах Ga As - AiGaAs и InP - InGaAs со встроенным потенциальным барьером: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Абдуллаев, Х. О. |
| Опубликовано: | Л. , 1991 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 0 | Недоступно (См. ссылку на электронный ресурс) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||