Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

Сохранено в:
Шифр документа: 12329/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Абдукадыров, М. А.
Опубликовано: Ташкент , 1986
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35497230000
005 20070807153114.0
100 # # $a 20070807d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева 
210 # # $a Ташкент  $d 1986 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (9 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Абдукадыров  $b М. А.  $g Мухитдин Абдрашитович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo