Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

Захавана ў:
Шифр документа: 12329/86СК,
Тып дакумента: Аўтарэфераты дысертацый
Аўтар: Абдукадыров, М. А.
Апублікавана: Ташкент , 1986
Фізіч. характарыстыкі: 16 с.
Мова: Руская

ОФХ отдела книгохранения

Усяго : 1 , даступна: 1 Даступна  Замовіць

Інфармацыя аб экземплярах

Шыфр Фонд Месца знаходжання статус экзэмпляра Чытальная зала
12329/86СК ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:67 СВАБОДНЫ Рекомендованный ЧитЗал