Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Абдукадыров, М. А. |
| Апублікавана: | Ташкент , 1986 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
16 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||