Разработка технологии получения и исследование фотоэлектрических свойств униполярных трензисторных структур на основе GaP-AlGaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Абдукадыров, М. А. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1986 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||