Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / МГУ им. М. И. Ломоносова, Физ. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ефимова, А. И. |
| Опубликовано: | М. , 1988 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35394210000 | ||
| 005 | 20230728104212.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [89-2765а] |
| 100 | # | # | $a 20070807d1988 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников A³B5 $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f МГУ им. М. И. Ломоносова, Физ. фак. |
| 210 | # | # | $a М. $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-21 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ефимова $b А. И. $g Александра Ивановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |