Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / МГУ им. М. И. Ломоносова, Физ. фак.

Сохранено в:
Шифр документа: 92514/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ефимова, А. И.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35394210000
005 20230728104212.0
021 # # $a RU  $b [89-2765а] 
100 # # $a 20070807d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников A³B5  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f МГУ им. М. И. Ломоносова, Физ. фак. 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-21 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ефимова  $b А. И.  $g Александра Ивановна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo