Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / МГУ им. М. И. Ломоносова, Физ. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ефимова, А. И. |
| Опубликовано: | М. , 1988 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||