Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых p-МОП транзисторах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Моск. физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 177253/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ершова, Ю. В.
Опубликовано: М. , 1991
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35360860000
005 20070807144909.0
100 # # $a 20070807d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых p-МОП транзисторах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (05.27.01)  $f Моск. физ.-техн. ин-т 
210 # # $a М.  $d 1991 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18 (5 назв.) 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ершова  $b Ю. В.  $g Юлия Валентиновна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo