Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых p-МОП транзисторах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (05.27.01) / Моск. физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ершова, Ю. В. |
| Опубликовано: | М. , 1991 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||