|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr35353360000 |
| 005 |
20221026122252.0 |
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-14599а]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070807d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование процессов кристаллизации полупроводниковых соединений A³B5 на основе принципов искусственной эпитаксии
$e (01.04.18)
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$f АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c граф.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 17-18 (6 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14181336
$a ГРАФОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.18
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Ершов
$b В. И.
$g Владимир Ильич
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070807
$g psbo
|
