Исследование процессов кристаллизации полупроводниковых соединений A³B5 на основе принципов искусственной эпитаксии: (01.04.18): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ершов, В. И. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
18 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||