Схожие документы

• Ионная имплантация Zn в твердых растворах GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As и ее использование в производстве полупроводниковых индикаторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Моск. ин-т электрон. машиностроения. - М., 1984. - 25 с.
  Автор: Филимошин, Н. С.
  Опубликовано: (1984)
• Определение параметров радиационных дефектов в кристаллах CaP и твердых растворах CaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) по измерениям ТСТ. - Киев, 1980. - 42 с. - (Препринт ; КИЯИ-80-2)
  Автор: Браиловский, Е. Ю.
  Опубликовано: (1980)
• Получение и исследование твердых растворов в системах In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)P, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(1-z)As{н.инд.}(z) и источников излучения на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. - М. : Изд-во Моск. ун-та, 1978. - 21 с.
  Автор: Ермаков, О. Н.
  Опубликовано: (1978)