|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr34879940000 |
| 005 |
20070802152202.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р. 77 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [69-63398]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070802d1969 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Основы технологии кремниевых интегральных схем
$e Окисление, диффузия, эпитаксия
$f Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Пер. с англ. Под ред. [и с предисл.] канд. физ.-мат. наук В. Н. Мордковича и канд. техн. наук Ф. П. Пресса
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Мир
$d 1969
|
| 215 |
# |
# |
$a 451 с.
$c илл.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр. а конце глав. Авт. указаны в огл.: Р. П. Донован, А. М. Смит, Б. М. Бэрри. Доп. тит. л.: Fundamentals of silicon integrated device technology. Vol. 1. Oxidation, diffusion and epitaxy
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы - Производство
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.2/.3.002.2+[016.3]
|
| 700 |
# |
1 |
$a Донован
$b Р. П.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Смит
$b А. М.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Бэрри
$b Б. М.
|
| 702 |
# |
1 |
$a Бургер
$b Р. М.
$4 340
|
| 702 |
# |
1 |
$a Мордкович
$b В.
$4 340
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070802
$g psbo
|
