Исследование кристаллической структуры тонких слоев полупроводниковых соединений. A²B⁶: (298): Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. техн. наук / Моск. энерг. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Дмитриев, В. А. |
| Опубликовано: | М. , 1970 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34747400000 | ||
| 005 | 20070802145325.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [70-24240а] |
| 100 | # | # | $a 20070802d1970 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование кристаллической структуры тонких слоев полупроводниковых соединений. A²B⁶ $e (298) $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. техн. наук $f Моск. энерг. ин-т |
| 210 | # | # | $a М. $d 1970 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 21 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 298 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Дмитриев $b В. А. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070802 $g psbo |