Подвижность двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-N+ и оценка качества этих структур в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / Рязан. радиотехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Денисов, А. А. |
| Опубликовано: | Рязань , 1989 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34563840000 | ||
| 005 | 20231027115951.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070801d1989 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Подвижность двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-N+ и оценка качества этих структур в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (01.04.10) $f Рязан. радиотехн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Рязань $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Денисов $b А. А. $g Александр Альбертович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070801 $g psbo |