Подвижность двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-N+ и оценка качества этих структур в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / Рязан. радиотехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Денисов, А. А. |
| Опубликовано: | Рязань , 1989 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||