Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Черновиц. гос. ун-т
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Даховский, И. В. |
| Published: | Черновцы , 1965 |
| Physical Description: |
7 с.
|
| Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||