Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Черновиц. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Даховский, И. В. |
| Опубликовано: | Черновцы , 1965 |
| Физические характеристики: |
7 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||