Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Черновиц. гос. ун-т
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Даховский, И. В. |
| Апублікавана: | Черновцы , 1965 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
7 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||