Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Черновиц. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Даховский, И. В. |
| Опубликовано: | Черновцы , 1965 |
| Физические характеристики: |
7 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34446980000 | ||
| 005 | 20070727180133.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [65-33429] |
| 100 | # | # | $a 20070727d1965 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Черновиц. гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Черновцы $d 1965 |
| 215 | # | # | $a 7 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр. в конце текста (28 назв.) |
| 700 | # | 1 | $a Даховский $b И. В. $g Игорь Владимирович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |