Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

Saved in:
Шифр документа: 2135/86СК,
Format: Thesis abstracts
Main Author: Дадамухамедов, С.
Published: Ташкент , 1984
Physical Description: 21 с.
Language: Russian

ОФХ отдела книгохранения

All : 1 , available: 1 Available  Place a Hold

Information about the copies

Shifr Fond Holding place Copy status Reading room
2135/86СК ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:66 AVAILABLE Рекомендованный ЧитЗал