
Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Saved in:
Format: | |
---|---|
Main Author: | Дадамухамедов, С. |
Published: | Ташкент , 1984 |
Physical Description: |
21 с.
|
Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|