Схожие документы

• Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), (Ge2){н.инд.}(x) (GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)-GaAs (0≤X≤1) структур из раствора-расплава: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. - Ашхабад, 1990. - 20 с.
  Автор: Сапаев, Б.
  Опубликовано: (1990)
• Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge, (Gl₂){н.инд.}(x)(GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Gl{н.инд.}(x)-GaAs(0≤ X Si) структур из раствора-расплава [[Микроформа]]: Дис. ... физ.-мат. наук: (01.04.10). - Ташкент, 1990. - 131 с.
  Автор: Сапаев, Б.
  Опубликовано: (1990)
• Получение твердых растворов In{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)Sb, тонкопленочных структур на основе Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-GaAs-Ge и исследование их свойств для преобразователей солнечной энергии: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. - Ашхабад, 1982. - 17 с.
  Автор: Акмурадов, А.
  Опубликовано: (1982)