|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ia4500 |
001 |
BY-NLB-rr34317950000 |
005 |
20160114090408.0 |
100 |
# |
# |
$a 20070727d1991 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a LT
|
200 |
1 |
# |
$a Формирование субмикронных эпитаксиальных варакторных структур на основе арсенида галлия в системе Ga - AsCl₃ - H₂
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук
$e (05.27.06)
$f Каунас. технол. ун-т
|
210 |
# |
# |
$a Каунас
$d 1991
|
215 |
# |
# |
$a 20 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 15-16 (11 назв.)
|
615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$a Гядиминскас
$b К.
$g Кястутис
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070727
$g psbo
|
856 |
4 |
# |
$u https://elib.nlb.by:8070/viewer?markID=BY-NLB-rr34317950000&fileID=1275979
|