Формирование субмикронных эпитаксиальных варакторных структур на основе арсенида галлия в системе Ga - AsCl₃ - H₂: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Каунас. технол. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 177251/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гядиминскас, К.
Опубликовано: Каунас , 1991
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34317950000
005 20160114090408.0
100 # # $a 20070727d1991 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a LT 
200 1 # $a Формирование субмикронных эпитаксиальных варакторных структур на основе арсенида галлия в системе Ga - AsCl₃ - H₂  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.06)  $f Каунас. технол. ун-т 
210 # # $a Каунас  $d 1991 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (11 назв.) 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гядиминскас  $b К.  $g Кястутис 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo 
856 4 # $u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/AD/177251_91.pdf