Формирование субмикронных эпитаксиальных варакторных структур на основе арсенида галлия в системе Ga - AsCl₃ - H₂: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Каунас. технол. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гядиминскас, К. |
| Опубликовано: | Каунас , 1991 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 0 | Недоступно (См. ссылку на электронный ресурс) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||