Излучательная рекомбинация в полупроводниковых эпитаксиальных слоях Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ369363,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гуреев, Д. М.
Опубликовано: М. , 1979
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34221450000
005 20070727163719.0
021 # # $a RU  $b [79-19578а] 
100 # # $a 20070727d1979 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Излучательная рекомбинация в полупроводниковых эпитаксиальных слоях Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a М.  $d 1979 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. инж.-физ. ин-т. Библиогр.: с. 16-17 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гуреев  $b Д. М.  $g Дмитрий Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo