Излучательная рекомбинация в полупроводниковых эпитаксиальных слоях Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Te и Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гуреев, Д. М. |
| Опубликовано: | М. , 1979 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||