Исследование вторичного пробоя в транзисторах и диодах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Новосиб. электротехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Германский, П. И. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1974 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33325680000 | ||
| 005 | 20070719202530.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [74-13704а] |
| 100 | # | # | $a 20070719d1974 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование вторичного пробоя в транзисторах и диодах $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $f Новосиб. электротехн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1974 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 15 (5 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Германский $b П. И. $g Павел Иосифович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070719 $g psbo |