Исследование вторичного пробоя в транзисторах и диодах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Новосиб. электротехн. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Германский, П. И. |
Опубликовано: | Новосибирск , 1974 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|