Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Ag8MS6(M-Si, Ge, Sn) с ионно-электронной проводимостью: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Львов. гос. ун-т им. И. Франко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гасий, Б. И. |
| Опубликовано: | Львов , 1986 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33201230000 | ||
| 005 | 20220928113148.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [86-11862а] |
| 100 | # | # | $a 20070717d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Ag8MS6(M-Si, Ge, Sn) с ионно-электронной проводимостью $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Львов. гос. ун-т им. И. Франко |
| 210 | # | # | $a Львов $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-22 (16 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гасий $b Б. И. $g Богдан Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |