Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Ag8MS6(M-Si, Ge, Sn) с ионно-электронной проводимостью: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Львов. гос. ун-т им. И. Франко
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Гасий, Б. И. |
Опубликовано: | Львов , 1986 |
Физические характеристики: |
22 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|