Исследование электрических и тензоэлектрических свойств диодов с барьером Шоттки на основе арсенида галлия, содержащего глубокие центры: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Филонов, Н. Г. |
| Опубликовано: | Томск , 1984 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32977570000 | ||
| 005 | 20211227115845.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070717d1984 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрических и тензоэлектрических свойств диодов с барьером Шоттки на основе арсенида галлия, содержащего глубокие центры $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
| 210 | # | # | $a Томск $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Филонов $b Н. Г. $g Николай Григорьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |