Исследование электрических и тензоэлектрических свойств диодов с барьером Шоттки на основе арсенида галлия, содержащего глубокие центры: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Филонов, Н. Г. |
| Опубликовано: | Томск , 1984 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||