Ионная имплантация Zn в твердых растворах GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As и ее использование в производстве полупроводниковых индикаторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Моск. ин-т электрон. машиностроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Филимошин, Н. С. |
| Опубликовано: | М. , 1984 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32943300000 | ||
| 005 | 20070717191038.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070717d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Ионная имплантация Zn в твердых растворах GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As и ее использование в производстве полупроводниковых индикаторов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) $f Моск. ин-т электрон. машиностроения |
| 210 | # | # | $a М. $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 25 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 24-25 (10 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Филимошин $b Н. С. $g Николай Спиридонович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |