Ионная имплантация Zn в твердых растворах GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As и ее использование в производстве полупроводниковых индикаторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Моск. ин-т электрон. машиностроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Филимошин, Н. С. |
| Опубликовано: | М. , 1984 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||