Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на α-SiC(6H) подложках и электролюминесцентных характеристик полученных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Умурзаков, А. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1980 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32593980000 | ||
| 005 | 20070716150301.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070716d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на α-SiC(6H) подложках и электролюминесцентных характеристик полученных структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. Библиогр.: с. 22-23 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Умурзаков $b А. $g Азам |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070716 $g psbo |