Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на α-SiC(6H) подложках и электролюминесцентных характеристик полученных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Умурзаков, А. |
Опубликовано: | Ташкент , 1980 |
Физические характеристики: |
23 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|