Свойства поверхности фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе полупроводниковых твердых растворов GaIn As и InGa AsP и их влияние на фотоэмиссионные характеристики фотокатодов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.04) / АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники

Сохранено в:
Шифр документа: 9508/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Тушинский, В. М.
Опубликовано: М. , 1964
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32469120000
005 20070710152021.0
100 # # $a 20070710d1964 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Свойства поверхности фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе полупроводниковых твердых растворов GaIn As и InGa AsP и их влияние на фотоэмиссионные характеристики фотокатодов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.04)  $f АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники 
210 # # $a М.  $d 1964 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-18 (10; 7 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Тушинский  $b В. М.  $g Владимир Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070710  $g psbo