Свойства поверхности фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе полупроводниковых твердых растворов GaIn As и InGa AsP и их влияние на фотоэмиссионные характеристики фотокатодов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.04) / АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тушинский, В. М. |
| Опубликовано: | М. , 1964 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||