Электронные возбужденные состояния и примесная люминесценция в широкозонных полупроводниках SiC:Ti и GaN:Zn: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ. мат. наук: (01.04.05) / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Тесленко, С. И. |
Опубликовано: | Киев , 1986 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31994440000 | ||
005 | 20070709152812.0 | ||
100 | # | # | $a 20070709d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Электронные возбужденные состояния и примесная люминесценция в широкозонных полупроводниках SiC:Ti и GaN:Zn $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ. мат. наук $e (01.04.05) $f Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко |
210 | # | # | $a Киев $d 1986 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (10 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.05 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Тесленко $b С. И. $g Сергей Иванович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070709 $g psbo |