Электронные возбужденные состояния и примесная люминесценция в широкозонных полупроводниках SiC:Ti и GaN:Zn: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ. мат. наук: (01.04.05) / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко

Сохранено в:
Шифр документа: 12937/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Тесленко, С. И.
Опубликовано: Киев , 1986
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr31994440000
005 20070709152812.0
100 # # $a 20070709d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Электронные возбужденные состояния и примесная люминесценция в широкозонных полупроводниках SiC:Ti и GaN:Zn  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ. мат. наук  $e (01.04.05)  $f Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко 
210 # # $a Киев  $d 1986 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-15 (10 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.05  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Тесленко  $b С. И.  $g Сергей Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070709  $g psbo