Электронные возбужденные состояния и примесная люминесценция в широкозонных полупроводниках SiC:Ti и GaN:Zn: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ. мат. наук: (01.04.05) / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тесленко, С. И. |
| Опубликовано: | Киев , 1986 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||